رسوب ترکیبات فلزی غنی از استرانسیم در مرحله انجماد و فعال سازی فلیم های اکسیدی دولایی (Bifilm) 

دکتر سیدمهدی میراسماعیلی، دکتر سعید شبستری، دکتر سیدمحمد علی بوترابی

در این پژوهش امکان جوانه زنی و رسوب ترکیبات بین فلزیی غنی از استرانسیم بر سطوح تر شودنده فیلمهای اکسیدی دو لایی (Double Over Oxide Film: Bifilm) و اثر آن بر افزایش تخلخل در آلیاژ A356 بهسازی شده با استرانسیم مورد مطالعه قرار گرفت. مشاهدات سیستماتیک به عمل آمده با استفاده از میکروسکوپ الکترونی (SEM)، نشان دهنده رسوب ترکیبات بین فلزی غنی از استرانسیم بر سطوح تر شونده فلیم های دولایی در بیشتر تخلخل ها بود. همچنین امکان جوانه زنی ترکیب Al2Si2Sr به عنوان محتمل ترین ترکیب بین فلزی غنی از استرانسیم درآلیاژهای بهسازی شده بر فلیمهای اکسیدی متشکل از Al2O3,MgO, Al2O3 از طریق انجام مطالعات کریستالوگرافی و تخمین ضریب عدم انطباق در فصل مشترک تماس صفحات اتمی دو فاز در جوانه زنی (Planar Disregistry:δ) مورد بررسی قرار گرفت و مشخص شده که فلیم های اکسیدی مذکور مراکز جوانه زنی مناسبی برای ترکیب Al2Si2Sr می باشند. در ادامه امکان رسوب Al2Si2Sr بر فلیم های اکسید دولایی درون قطعه در زمان انجماد و تاثیر این پدیده بر فعال سازی و رشد این فلیم هایی دولایی و تبدیل آنها به تخلخل های بزرگتر مورد بررسی قرار گرفت. و نتیجه گیری شده که رسوب ترکیبات بین فلزی استرانسیم می تواند سبب فعال سازی و رشد فلیم های دولایی و تبدیل آنها به تخلخل های بزرگتر شود و به همین دلیل عملیات بهسازی می تواند سبب افزایش تخلخل گردد.